离子注入是通过高能离子束轰击硅片表面，在掺杂窗口处，杂质离子被注入硅本体，在其他部位，杂质离子被硅表面的保护层屏蔽，完成选择掺杂的过程。进入硅中的杂质离子在一定的位置形成一定的分布。通常，离子注入的...
离子注入是通过高能离子束轰击硅片表面，在掺杂窗口处，杂质离子被注入硅本体，在其他部位，杂质离子被硅表面的保护层屏蔽，完成选择掺杂的过程。进入硅中的杂质离子在一定的位置形成一定的分布。通常，离子注入的...
随着离子注入技术的发展，它的应用也越来越广泛，尤其是在集成电路中的应用发展最快。由于离子注入技术具有很好可控性和重复性，这样设计者就可根据电路或器件参数的要求，设计出理想的杂质分布，并用离子注入技术...
由于传统扩散技术的限制性，现代工艺大量使用了离子注入。 离子注入机是一种特殊的粒子加速器，用来加速杂质原子，使他们能穿透硅晶体到达几微米的深度。（16 注入深度和注入能量有关。 本节讨论的注入涉及到的能量...
标签： 首发论文
碳化硅氮离子注入模拟研究，李卓，夏晓川，利用SRIM软件模拟了在不同注入角度、注入能量和注入剂量的条件下，N离子在SiC材料中的分布。根据对模拟结果分析发现，随着注入角度�
本文用卢瑟福背散射和光吸收技术研究了高剂量Ag离子注入SiO_2玻璃以及退火后的状况.吸收光谱测量表明,注入的Ag离子聚集形成了胶态粒子,其等离子共振峰的极大值在400nm处.运用米(Mie)理论和德拜(Doyle)方法,根据测得...
作为一种材料表面工程技术，离子注入技术具有以下一些其它常规表面处理技术难以达到的独特优点：（1）它是一种纯净的无公害的表面处理技术；（2）无需热激活，无需在高温环境下进行，因而不会改变工件的外形尺寸和...
离子注入工艺就是用高能离子注入设各把具有一定能量的带电粒子掺入到半导体材料中，从而改变半导体材料的电学性质和光学性质。离子从上DBR处注入，与晶体内的电子和原子核发生碰撞，产生晶格空位，并通过自由载流子...
基于STM32离子注入机剂量检测控制器的设计.pdf
在不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火下,研究了有源区量子阱混杂技术,实验结果采用光致发光(PL)谱进行表征。实验结果表明:在不同变量下皆可获得量子阱混杂效果,其中退火温度影响最为显著,且...
标签： 设备
设备使用说明书，相关参数，具体设备尺寸，大小，型号
标签： 晶圆、
摘要：半导体器件制备过程中，SiO2牺牲氧化层经常作为离子注入的阻挡层，用来避免Si材料本身直接遭 受离子轰击而产生缺陷，牺牲氧化层在注入完成之后，氧化层的性质和结构会发生较大变化，在被腐蚀去除 过程中，腐蚀...
采用真空蒸发经热处理制备了V2O5薄膜, 使用二电极恒流法从1 M/L LiClO4的PC电解质溶液向V2O5薄膜注入锂离子, 形成LixV2O5(0≤x≤0.54), 测量了V2O5薄膜近垂直反射和透射光谱, 计算了光吸收系数。 X射线衍射分析表明...
叙述了用高功率激光辐射退火的离子注入硅的物理和电学性能。重点放在用激光退火和用常规热退火可以得到的材料性能的对比上。讨论了这些技术在高效率太阳电池制作上的应用，以及这种新技术在其它材料领域的可能应用。
离子注入和退火对3.3V NMOS热载流子注入效应的影响，张斌，，在半导体工艺中，在摩尔定律的指导下，器件的关键尺寸不断缩小，以此来不断提升器件的性能，而且为了保持器件性能以及集成性，器
近年来，激光退火与离子注入技术相结合已在半导体和金属物理领域中获得应用。讨论了激光与固体表面相互作的物理机制。报道了有关激光照射前放射性原子注入到表面的扩散的研究情况。本文报道了激光退火的现状，这种...
利用离子注入技术制备了不同Zn 离子剂量掺杂的铌酸锂样品，研究了Zn 离子注入对LiNbO3 晶体红外光谱特性的影响。实验结果显示Zn离子已成功地注入到LiNbO3晶体中，以Zn原子纳米颗粒形式存在，且注入深度约为80 nm。与...
离子注入已被证明是改善蓝宝石光学和机械表面性能的一种可靠方法。本文选择不同能量和剂量的镁/钛离子注入蓝宝石。利用TRIM (Transport of Ion Matter)程序分析了镁/钛离子在蓝宝石晶体中的射程分布。利用拉曼光谱和...
标签： 扩散和离子注入 其它
离散二极管和晶体管能在晶体生长的时候在硅ingot里形成结而生产出来。假设硅ingot开始的时候是P型晶体。经过短暂的生长后，通过加入控制量的磷melt被反向掺杂。继续的晶体生长会产生一个嵌入ingot的PN结。...
离子注入是指当真空中有一束离子束射向一块固体材料时，离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面，这个现象叫做溅射;而当离子束射到固体材料时，从固体材料表面弹了回来，或者穿出固体材料而去，这些现象叫做...
利用金属蒸发真空多弧离子源(MEVVA源)注入机，将Au离子注入到高纯石英玻璃衬底中来制备Au纳米颗粒，Au离子注入的加速电压分别为20、40和60 k V，注入剂量为1×1017ions/cm2，随后将注入样品在普通管式退火炉中700~...
利用离子注入技术和氧气氛围高温退火制备了不同掺锌剂量的铌酸锂样品,并研究了锌离子浓度以及退火状态对铌酸锂晶体紫外和红外波段特性的影响。紫外波段,锌离子的注入使铌酸锂晶体的吸收边红移,退火后吸收边均与纯...
利用离子注入技术合成了Ge纳米晶（nc-Ge）嵌入的SiO2纳米复合薄膜。 可以通过改变锗离子注入过程中的注入能量和剂量来调整nc-Ge在SiO2基体中的分布曲线。 因此，可以设计nc-Ge / SiO2纳米复合薄膜的有效介电常数。 ...
采用溶胶-凝胶和离子注入复合工艺在氧化的Sio2/Si(100)基片上制备掺Er3+:Al2O3光学薄膜.900℃烧结,掺Er3+:Al2O3薄膜的相结构是γ-Al,Er)2O3和θ-(Al,Er)2O3的混合物.室温下测量不同注入剂量的掺Er3+:Al2O3光学薄膜的...
方法以l×10培，5×1017和1×1017离子/cm2的注入量将钙离子注入到纯钛表面，并对其进行X射线光电子能谱及扫描电镜分析。结果得到了XPS全谱、结合能值以及扫描电镜照片，并用高斯拟合对材料表面可能存在的元素化学...
等离子体离子注入pic仿真的matlab实现picnumericalsimulation等离子体离子注入PIC 仿真的MATLAB 实现*裴宪军, 巩春志, 汪志健, 田修波, 杨士勤( 哈尔滨工业大学 先进焊接与连接国家重点实验实 哈尔滨 150001)PIC ...
标签： 首发论文
氦离子注入金属的研究现状，马欣新，李金龙，近年来由于对环境保护的日益关注，金属多孔复合光催化材料的研究成为热点之一。本文综述了惰性气体He注入金属形成纳米级微孔结构�
研究了快速热处理系统中卤钨灯阵列的排列方式和硅片接受到的辐照度...接着进行了P离子注入快速热退火试验，测量比较了退火后样品的方块电阻值，获得了快速热退火的最佳温度时间关系参数。对于剂量7.0×10 15cm-2，能量6
采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源制得了SiO2：Si辐照层。样品的室温可见PL谱峰位...结果表明，当Si离子注入剂量小于6×1016cm2时，伴随注人剂量的增加观察到PL谱带强度单调上升；当注入剂量超过6×1016cm2时，因过量
采用由阴极真空弧等离子体源、负脉冲高压靶台和磁过滤系统组成的金属等离子体浸没注入系统，实现Ta+和Ti+浸没注入，并对离子注入层予以表征。结果表明，等离子体浸没离子注人钽和钛的RBS分析射程，低于按设定加速...
标签： 文档
中束流离子注入机.doc